بیجنگ(مانیٹرنگ ڈیسک)چینی سائنسدانوں نے ایک انقلابی فلیش میموری ڈیوائس تیار کی ہے جو ڈیٹا کو محض 400 پیکو سیکنڈز میں محفوظ کرنے کی صلاحیت رکھتی ہے یہ رفتار جدید سیمی کنڈکٹر ٹیکنالوجی میں ایک نیا سنگِ میل سمجھی جا رہی ہے۔
فودان یونیورسٹی شنگھائی کے ماہرین نے PoX نامی اس نان وولیٹائل میموری کو ڈائریک گریفین چینل ٹیکنالوجی کی مدد سے تیار کیا ہے، جو روایتی فلیش اور تیز ترین وولیٹائل میموری SRAM اور DRAMسے بھی کہیں آگے ہے۔یہ میموری نہ صرف بجلی کے بغیر ڈیٹا محفوظ رکھتی ہے بلکہ تیز رفتار رسائی کی ضرورت پوری کر کے مصنوعی ذہانت جیسے جدید شعبوں میں انقلابی پیش رفت کا پیش خیمہ بن سکتی ہے۔
تحقیق بدھ کے روز معروف سائنسی جریدے نیچر میں شائع ہوئی، جسے ماہرین نے سب سے مختلف اور مستقبل کی ٹیکنالوجی کے لیے راہ ہموار کرنے والی دریافت قرار دیا ہے۔
